SiO2 Thin Film Thermal Oxide Silicon wafer 4 tommur 6 tommur 8 tommur 12 tommur

Stutt lýsing:

Við getum útvegað háhita ofurleiðandi þunn filmu undirlag, segulmagnaðir þunnt filmur og ferrolectric þunn filmu hvarfefni, hálfleiðara kristal, sjón kristal, leysir kristal efni, á sama tíma veitt stefnumörkun og erlendum háskólum og rannsóknastofnunum til að veita hágæða (ofur slétt, ofurslétt) slétt, ofurhreint)

Sendu tölvupóst til okkar

Upplýsingar um vöru

Vörumerki

Kynning á oblátukassa

Meginferlið við framleiðslu á oxuðum kísilskífum felur venjulega í sér eftirfarandi skref: einkristallaðan kísilvöxt, klippingu í oblátur, fægja, hreinsun og oxun.

Einkristallaður sílikonvöxtur: Í fyrsta lagi er einkristallaður sílikon ræktaður við háan hita með aðferðum eins og Czochralski aðferðinni eða Float-zone aðferðinni.Þessi aðferð gerir kleift að búa til einkristalla úr sílikon með miklum hreinleika og grindarheilleika.

Hægeldun: Vaxið einkristallað kísill er venjulega í sívalningi og þarf að skera það í þunnar oblátur til að nota sem undirlag fyrir oblátur.Skurður er venjulega gerður með demantsskera.

Fæging: Yfirborð klipptu oblátsins getur verið ójafnt og þarfnast efna-vélrænna fægja til að fá slétt yfirborð.

Þrif: Fægða oblátið er hreinsað til að fjarlægja óhreinindi og ryk.

Oxun: Að lokum eru kísilskífurnar settar í háhitaofn til oxunarmeðferðar til að mynda hlífðarlag af kísildíoxíði til að bæta rafeiginleika þess og vélrænan styrk, auk þess að þjóna sem einangrunarlag í samþættum hringrásum.

Helstu notkun oxaðra kísilþráða er framleiðsla á samþættum hringrásum, framleiðslu á sólarsellum og framleiðslu á öðrum rafeindatækjum.Kísiloxíðplötur eru mikið notaðar á sviði hálfleiðaraefna vegna framúrskarandi vélrænna eiginleika þeirra, víddar- og efnastöðugleika, getu til að starfa við háan hita og háan þrýsting, auk góðra einangrunar- og sjónfræðilegra eiginleika.

Kostir þess eru meðal annars fullkomin kristalbygging, hrein efnasamsetning, nákvæm mál, góðir vélrænir eiginleikar osfrv. Þessir eiginleikar gera kísiloxíðskífur sérstaklega hentugar til framleiðslu á afkastamiklum samþættum hringrásum og öðrum örrafrænum tækjum.