4 tommu Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm
Umsóknir
● Vaxtarhvarfefni fyrir III-V og II-VI efnasambönd.
● Rafeindatækni og ljóseindatækni.
● IR forrit.
● Silicon On Sapphire Integrated Circuit (SOS).
● Radio Frequency Integrated Circuit (RFIC).
Í LED framleiðslu eru safírplötur notaðar sem undirlag fyrir vöxt gallíumnítríðs (GaN) kristalla, sem gefa frá sér ljós þegar rafstraumur er beitt.Safír er tilvalið undirlagsefni fyrir GaN vöxt vegna þess að það hefur svipaða kristalbyggingu og hitastækkunarstuðul og GaN, sem lágmarkar galla og bætir kristalgæði.
Í ljósfræði eru safírskífur notaðar sem gluggar og linsur í háþrýstings- og háhitaumhverfi, sem og í innrauðum myndkerfum, vegna mikillar gegnsæis og hörku.
Forskrift
| Atriði | 4 tommu C-plane(0001) 650μm Sapphire Wafers | |
| Kristall efni | 99.999%, hár hreinleiki, einkristallað Al2O3 | |
| Einkunn | Prime, Epi-Ready | |
| Yfirborðsstefna | C-flugvél (0001) | |
| Fráhorn C-plans í átt að M-ás 0,2 +/- 0,1° | ||
| Þvermál | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| Þykkt | 650 μm +/- 25 μm | |
| Primary Flat Orientation | A-plan(11-20) +/- 0,2° | |
| Aðal Flat Lengd | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
| Einhliða fáður | Yfirborð að framan | Epi-fáður, Ra < 0,2 nm (eftir AFM) |
| (SSP) | Bakhlið | Fín jörð, Ra = 0,8 μm til 1,2 μm |
| Tvöfaldur hlið fáður | Yfirborð að framan | Epi-fáður, Ra < 0,2 nm (eftir AFM) |
| (DSP) | Bakhlið | Epi-fáður, Ra < 0,2 nm (eftir AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| BOGI | < 20 μm | |
| VARP | < 20 μm | |
| Þrif / Pökkun | Flokkur 100 hreinsunarherbergi og tómarúmsumbúðir, | |
| 25 stykki í einni snældupakkningu eða staka umbúðum. | ||
Pökkun og sendingarkostnaður
Almennt séð útvegum við pakkann með 25 stk snældakassa;við getum líka pakkað með einum oblátu ílát undir 100 bekk hreinsunarherbergi í samræmi við kröfur viðskiptavinarins.
Ítarleg skýringarmynd
