6 tommu HPSI SiC undirlagsskífa kísilkarbíð hálfmóðgandi SiC diskur

Núverandi vaxtaraðferðir fyrir SiC einkristalla innihalda aðallega eftirfarandi þrjár: fljótandi fasa aðferð, háhita efna gufuútfellingaraðferð og eðlisfræðileg gufufasa flutningsaðferð (PVT).Meðal þeirra er PVT aðferðin mest rannsökuð og þroskuð tækni fyrir SiC einkristallavöxt og tæknilegir erfiðleikar hennar eru:

(1) SiC einkristallur í háum hita 2300 ° C fyrir ofan lokaða grafíthólfið til að ljúka endurkristöllunarferlinu "fast - gas - solid" umbreytingarferlið, vaxtarhringurinn er langur, erfitt að stjórna og viðkvæmt fyrir örpíplum, innfellingum og aðra galla.

(2) Kísilkarbíð einkristallar, þar á meðal meira en 200 mismunandi kristalgerðir, en framleiðsla á almennri aðeins einni kristalgerð, auðvelt að framleiða kristalgerð umbreytingu í vaxtarferlinu sem leiðir til galla í mörgum gerðum innilokunar, undirbúningsferli einnar tegundar. Sérstök kristal gerð er erfitt að stjórna stöðugleika ferlisins, til dæmis núverandi almennum 4H-gerð.

(3) Kísilkarbíð einn kristal vöxtur hitauppstreymi sviði það er hitastig halli, sem leiðir í kristal vaxtarferli það er innfæddur innri streitu og leiðir dislocations, bilanir og aðrir gallar af völdum.

(4) Kísilkarbíð eins kristalla vaxtarferli þarf að hafa strangt eftirlit með innleiðingu ytri óhreininda til að fá mjög háan hreinleika hálfeinangrandi kristal eða stefnubættan leiðandi kristal.Fyrir hálfeinangrandi kísilkarbíð hvarfefni sem notuð eru í RF tækjum þarf að ná fram rafeiginleikum með því að stjórna mjög lágum styrk óhreininda og sérstökum gerðum punktgalla í kristalinu.