6 tommu 150 mm kísilkarbíð SiC skífur af gerðinni 4H-N fyrir MOS eða SBD framleiðslurannsóknir og gervigráður

6 tommu 150 mm kísilkarbíð SiC skífur af gerðinni 4H-N fyrir MOS eða SBD framleiðslurannsóknir og gervigreið. Mynd.

Stutt lýsing:

6 tommu kísilkarbíð einkristall undirlagið er afkastamikið efni með framúrskarandi eðlis- og efnafræðilega eiginleika. Það er framleitt úr hágæða kísilkarbíð einkristallaefni og sýnir framúrskarandi varmaleiðni, vélrænan stöðugleika og háan hitaþol. Þetta undirlag, sem er framleitt með nákvæmum framleiðsluferlum og hágæða efnum, hefur orðið ákjósanlegt efni fyrir framleiðslu á afkastamiklum rafeindatækjum á ýmsum sviðum.

Senda okkur tölvupóst

Vöruupplýsingar

Vörumerki

Umsóknarsvið

6 tommu kísilkarbíð einkristall undirlag gegnir lykilhlutverki í fjölmörgum atvinnugreinum. Í fyrsta lagi er það mikið notað í hálfleiðaraiðnaðinum til framleiðslu á háafls rafeindabúnaði eins og aflsmára, samþættum hringrásum og aflsmáeiningum. Mikil varmaleiðni þess og háhitaþol gerir kleift að dreifa varma betur, sem leiðir til aukinnar skilvirkni og áreiðanleika. Í öðru lagi eru kísilkarbíðskífur nauðsynlegar á rannsóknarsviðum fyrir þróun nýrra efna og tækja. Að auki finnur kísilkarbíðskífan víðtæka notkun á sviði ljósrafnema, þar á meðal framleiðslu á LED og leysigeislum.

Vöruupplýsingar

6 tommu kísilkarbíð einkristall undirlagið er 6 tommur í þvermál (u.þ.b. 152,4 mm). Yfirborðsgrófleikinn er Ra < 0,5 nm og þykktin er 600 ± 25 μm. Hægt er að aðlaga undirlagið með annað hvort N-gerð eða P-gerð leiðni, eftir kröfum viðskiptavina. Þar að auki sýnir það framúrskarandi vélrænan stöðugleika og þolir þrýsting og titring.

Þvermál		150 ± 2,0 mm (6 tommur)
Þykkt		350 μm ± 25 μm
Stefnumörkun		Á ásnum: <0001> ± 0,5°		Utan ás: 4,0° í átt að 1120 ± 0,5°
Fjöltýpa		4H
Viðnám (Ω·cm)	4H-N	0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Aðal flat stefnumörkun		{10-10}±5,0°
Aðal flatlengd (mm)		47,5 mm ± 2,5 mm
Brún		Skásett
TTV/Boga/Veiðing (um)		≤15 /≤40 /≤60
AFM framhlið (Si-hlið)		Pólskur Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,5 nm
LTV		≤3μm (10mm * 10mm)	≤5μm (10mm * 10mm)		≤10μm (10mm * 10mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
Appelsínubörkur/steinar/sprungur/mengun/blettir/rendur		Enginn	Enginn		Enginn
inndráttur		Enginn	Enginn		Enginn

6 tommu kísilkarbíð einkristall undirlag er afkastamikið efni sem er mikið notað í hálfleiðara-, rannsóknar- og ljósleiðaraiðnaði. Það býður upp á framúrskarandi varmaleiðni, vélrænan stöðugleika og háan hitaþol, sem gerir það hentugt fyrir framleiðslu á öflugum rafeindatækjum og rannsóknir á nýjum efnum. Við bjóðum upp á ýmsar forskriftir og sérstillingarmöguleika til að mæta fjölbreyttum kröfum viðskiptavina.Hafðu samband við okkur til að fá frekari upplýsingar um kísilkarbíðplötur!