50,8 mm 2 tommu GaN á safír Epi-lags oblátu
Notkun gallíumnítríðs GaN epitaxial lak
Byggt á frammistöðu gallíumnítríðs eru gallíumnítríð epitaxial flísar aðallega hentugar fyrir háa orku, hátíðni og lágspennu.
Það endurspeglast í:
1) Hátt bandbil: Hátt bandbil bætir spennustig gallíumnítríðtækja og getur gefið út meiri kraft en gallíumarseníðtæki, sem er sérstaklega hentugur fyrir 5G samskiptastöð, herradar og önnur svið;
2) Mikil umbreytingarskilvirkni: viðnám gallíumnítríðs rofi rafeindatækja er 3 stærðargráðum lægri en kísiltækja, sem getur dregið verulega úr kveikjutapi;
3) Hár hitaleiðni: mikil varmaleiðni gallíumnítríðs gerir það að verkum að það hefur framúrskarandi hitaleiðni, hentugur fyrir framleiðslu á miklum krafti, háhita og öðrum sviðum tækja;
4) Rafsviðsstyrkur sundurliðunar: Þrátt fyrir að niðurbrotsstyrkur rafsviðs gallíumnítríðs sé nálægt styrkleika kísilnítríðs, vegna hálfleiðaraferlis, ósamræmis efnisgrinda og annarra þátta, er spennuþol gallíumnítríðtækja venjulega um 1000V, og örugg notkunarspenna er venjulega undir 650V.
| Atriði | GaN-TCU-C50 | GaN-TCN-C50 | GaN-TCP-C50 |
| Mál | e 50,8 mm ± 0,1 mm | ||
| Þykkt | 4,5±0,5 um | 4,5±0,5um | |
| Stefna | C-plan(0001) ±0,5° | ||
| Tegund leiðni | N-gerð (ódótuð) | N-gerð (Sí-dópuð) | P-gerð (Mg-dópuð) |
| Viðnám (3O0K) | < 0,5 Q・cm | < 0,05 Q・cm | ~ 10 Q・cm |
| Flutningsstyrkur | < 5x1017cm-3 | > 1x1018cm-3 | > 6x1016 cm-3 |
| Hreyfanleiki | ~300 cm2/Á móti | ~200 cm2/Á móti | ~ 10 cm2/Á móti |
| Dislocation Density | Minna en 5x108cm-2(reiknað af FWHMs af XRD) | ||
| Uppbygging undirlags | GaN á Sapphire (Staðall: SSP Valkostur: DSP) | ||
| Nothæft yfirborð | > 90% | ||
| Pakki | Pakkað í hreinu herbergisumhverfi í flokki 100, í snældum með 25 stk eða stökum oblátuílátum, undir köfnunarefnislofti. | ||
* Önnur þykkt er hægt að aðlaga
Ítarleg skýringarmynd
