SiC
-
2 tommu kísilkarbíðskífur 6H eða 4H N-gerð eða hálfeinangrandi SiC undirlag
-
4H-N 4 tommu SiC undirlagsskífa úr kísilkarbíði, rannsóknargráða
-
6 tommu 150 mm kísilkarbíð SiC skífur af gerðinni 4H-N fyrir MOS eða SBD framleiðslurannsóknir og gervigráður
-
8 tommu 200 mm 4H-N SiC leiðandi gervi úr rannsóknargráðu
-
2 tommu kísilkarbíðskífur 6H eða 4H N-gerð eða hálfeinangrandi SiC undirlag