Hálfeinangrandi SiC á Si samsettum undirlagi

Hálfeinangrandi SiC á Si Composite Substrat Valmynd

Stutt lýsing:

Hálfeinangruð SiC á Si samsett undirlag er hálfleiðara efni sem samanstendur af því að setja hálfeinangrað lag af kísilkarbíði (SiC) á kísil undirlag

Sendu tölvupóst til okkar

Upplýsingar um vöru

Vörumerki

Atriði	Forskrift	Atriði	Forskrift
Þvermál	150±0,2 mm	Stefna	<111>/<100>/<110> og svo framvegis
Fjöltýpa	4H	Tegund	P/N
Viðnám	≥1E8ohm·cm	Flatleiki	Flat/hak
Flytja lag Þykkt	≥0,1μm	Edge Chip, Scratch, Crack (sjónræn skoðun)	Engin
Ógilt	≤5ea/oblátur (2mm>D>0,5mm)	TTV	≤5μm
Grófleiki að framan	Ra≤0,2nm (5μm*5μm)	Þykkt	500/625/675±25μm

Þessi samsetning býður upp á ýmsa kosti í rafeindaframleiðslu:

Samhæfni: Notkun kísilhvarflags gerir það samhæft við staðlaða vinnslutækni sem byggir á sílikon og gerir samþættingu við núverandi hálfleiðara framleiðsluferli.

Háhitaafköst: SiC hefur framúrskarandi hitaleiðni og getur starfað við háan hita, sem gerir það hentugt fyrir rafeindanotkun með miklum krafti og hátíðni.

Há bilunarspenna: SiC efni hafa mikla sundurliðaspennu og þolir hátt rafsvið án rafmagnsbilunar.

Minnkað afltap: SiC hvarfefni leyfa skilvirkari orkuumbreytingu og minna orkutap í rafeindatækjum samanborið við hefðbundin efni sem byggjast á sílikon.

Breið bandbreidd: SiC hefur mikla bandbreidd, sem gerir kleift að þróa rafeindatæki sem geta starfað við hærra hitastig og meiri aflþéttleika.

Svo hálfeinangrandi SiC á Si samsettu hvarfefni sameinar eindrægni kísils við yfirburða rafmagns- og hitaeiginleika SiC, sem gerir það hentugt fyrir afkastamikil rafeindatækni.

Pökkun og afhending

1. Við munum nota hlífðarplast og sérsniðna kassa til að pakka. (Umhverfisvænt efni)

2. Við gætum gert sérsniðna pökkun í samræmi við magn.

3. DHL/Fedex/UPS Express tekur venjulega um 3-7 virka daga á áfangastað.