Þann 26. tilkynnti Power Cube Semi árangursríka þróun á fyrsta 2300V SiC (kísilkarbíð) MOSFET hálfleiðara Suður-Kóreu.
Samanborið við núverandi Si (kísill) byggða hálfleiðara, þolir SiC (kísilkarbíð) hærri spennu og er því hylltur sem næstu kynslóðar tæki sem leiðir framtíð aflhálfleiðara.Það þjónar sem mikilvægur þáttur sem þarf til að kynna háþróaða tækni, svo sem útbreiðslu rafknúinna farartækja og stækkun gagnavera sem knúin eru áfram af gervigreind.
Power Cube Semi er sagnalaust fyrirtæki sem þróar afl hálfleiðara tæki í þremur meginflokkum: SiC (kísilkarbíð), Si (kísill) og Ga2O3 (gallíumoxíð).Nýlega beitti fyrirtækið og seldi Schottky Barrier Diodes (SBD) til alþjóðlegs rafbílafyrirtækis í Kína og öðlaðist viðurkenningu fyrir hálfleiðara hönnun og tækni.
Útgáfa 2300V SiC MOSFET er athyglisverð sem fyrsta slíka þróunarmálið í Suður-Kóreu.Infineon, alþjóðlegt orkuhálfleiðarafyrirtæki með aðsetur í Þýskalandi, tilkynnti einnig kynningu á 2000V vöru sinni í mars, en án 2300V vörulínu.
2000V CoolSiC MOSFET frá Infineon, sem notar TO-247PLUS-4-HCC pakkann, mætir kröfunni um aukinn aflþéttleika meðal hönnuða, sem tryggir áreiðanleika kerfisins jafnvel við ströng háspennu- og skiptitíðniskilyrði.
CoolSiC MOSFET býður upp á hærri jafnstraumstengluspennu, sem gerir kraftaukningu kleift án þess að auka straum.Þetta er fyrsta staka kísilkarbíð tækið á markaðnum með 2000V bilunarspennu, sem notar TO-247PLUS-4-HCC pakkann með 14 mm skriðfjarlægð og 5,4 mm úthreinsun.Þessi tæki eru með lágt rofatap og henta fyrir notkun eins og sólstrengjaspenna, orkugeymslukerfi og hleðslu rafbíla.
CoolSiC MOSFET 2000V vörulínan hentar fyrir háspennu DC strætókerfi allt að 1500V DC.Í samanburði við 1700V SiC MOSFET gefur þetta tæki næga yfirspennumörk fyrir 1500V DC kerfi.CoolSiC MOSFET býður upp á 4,5V þröskuldspennu og er með öflugum díóðum líkamans fyrir harða umskipti.Með .XT tengitækni bjóða þessir íhlutir framúrskarandi hitauppstreymi og sterka rakaþol.
Til viðbótar við 2000V CoolSiC MOSFET mun Infineon fljótlega setja á markað viðbótar CoolSiC díóða pakkaðar í TO-247PLUS 4-pinna og TO-247-2 pakka á þriðja ársfjórðungi 2024 og síðasta ársfjórðungi 2024, í sömu röð.Þessar díóða henta sérstaklega vel fyrir sólarorku.Einnig er hægt að fá samsvörun hliðabílstjóra vörusamsetningar.
CoolSiC MOSFET 2000V vörulínan er nú fáanleg á markaðnum.Ennfremur býður Infineon upp á viðeigandi matstöflur: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Hönnuðir geta notað þetta borð sem nákvæman almennan prófunarvettvang til að meta alla CoolSiC MOSFET og díóða sem eru metnar á 2000V, sem og EiceDRIVER fyrirferðarlítið einrásar einangrunarhliðsdrifinn 1ED31xx vöruröð með tvípúls eða samfelldri PWM notkun.
Gung Shin-soo, framkvæmdastjóri tæknisviðs Power Cube Semi, sagði: „Við gátum aukið núverandi reynslu okkar í þróun og fjöldaframleiðslu á 1700V SiC MOSFET í 2300V.
Pósttími: Apr-08-2024