6 tommu SiC Epitaxiy wafer N/P gerð samþykkja sérsniðna
Undirbúningsferlið fyrir kísilkarbíð epitaxial wafer er aðferð sem notar Chemical Vapor Deposition (CVD) tækni.Eftirfarandi eru viðeigandi tæknilegar meginreglur og undirbúningsferli:
Tæknileg regla:
Efnafræðileg gufuútfelling: Með því að nota hráefnisgasið í gasfasanum, við sérstakar hvarfaðstæður, er það niðurbrotið og sett á undirlagið til að mynda þunnt filmu sem óskað er eftir.
Gasfasaviðbrögð: Með hita- eða sprunguviðbrögðum er ýmsum hráefnislofttegundum í gasfasanum breytt á efnafræðilegan hátt í hvarfhólfinu.
Undirbúningsferli skref:
Meðhöndlun undirlags: Undirlagið er þrifið á yfirborði og formeðferð til að tryggja gæði og kristöllun þekjubotnsins.
Aflúsun viðbragðshólfs: Stilltu hitastig, þrýsting og flæðishraða hvarfhólfsins og aðrar breytur til að tryggja stöðugleika og stjórn á viðbragðsskilyrðum.
Hráefnisframboð: Gefðu nauðsynlegu gashráefni í hvarfhólfið, blandaðu og stjórnaðu flæðishraðanum eftir þörfum.
Viðbragðsferli: Með því að hita hvarfhólfið fer loftkennda hráefnið í efnahvörf í hólfinu til að framleiða æskilega útfellingu, þ.e. kísilkarbíðfilmu.
Kæling og losun: Í lok hvarfsins er hitastigið lækkað smám saman til að kæla og storkna útfellingarnar í hvarfhólfinu.
Hreinsun og eftirvinnsla á þekjuþráðum: Hreinsuð þekjuskífa er glöðuð og eftirvinnsla til að bæta rafmagns- og ljóseiginleika sína.
Sérstök skref og skilyrði undirbúningsferlisins fyrir kísilkarbíð þekjuskífu geta verið mismunandi eftir sérstökum búnaði og kröfum.Ofangreint er aðeins almennt ferli flæði og meginregla, sérstaka aðgerð þarf að aðlaga og fínstilla í samræmi við raunverulegar aðstæður.
Ítarleg skýringarmynd
![WechatIMG321](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG321.jpg)
![WechatIMG320](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG320.jpg)