150 mm 6 tommu 0,7 mm 0,5 mm Sapphire Wafer Substrate Carrier C-Plane SSP/DSP

Stutt lýsing:

Allt ofangreint eru réttar lýsingar á safírkristöllum. Framúrskarandi frammistaða safírkristalls gerir það mikið notað á hágæða tæknisviðum. Með hraðri þróun LED-iðnaðarins eykst eftirspurn eftir safírkristalefnum einnig.

Sendu tölvupóst til okkar

Upplýsingar um vöru

Vörumerki

Umsóknir

Umsóknir um 6 tommu safírplötur eru:

1. LED framleiðsla: Hægt er að nota safírskífu sem undirlag LED flísar og hörku þess og hitaleiðni getur bætt stöðugleika og endingartíma LED flísar.

2. Laser framleiðsla: Sapphire wafer er einnig hægt að nota sem undirlag leysir, til að bæta árangur leysis og lengja endingartímann.

3. Hálfleiðaraframleiðsla: Safírskífur eru mikið notaðar við framleiðslu á rafeinda- og sjónrænum tækjum, þar með talið sjónmyndun, sólarsellur, hátíðni rafeindatæki osfrv.

4. Önnur forrit: Einnig er hægt að nota safírskífu til að framleiða snertiskjá, sjóntæki, þunnfilmu sólarsellur og aðrar hátæknivörur.

Forskrift

Efni	Háhreinleiki einkristal Al2O3, safírskífa.
Stærð	150 mm +/- 0,05 mm, 6 tommur
Þykkt	1300 +/- 25 um
Stefna	C plan (0001) af M (1-100) plani 0,2 +/- 0,05 gráður
Aðal flata stefnumörkun	Flugvél +/- 1 gráðu
Aðal flat lengd	47,5 mm +/- 1 mm
Heildarþykktarbreytingar (TTV)	<20 um
Boga	<25 um
Undið	<25 um
Varmaþenslustuðull	6,66 x 10-6 / °C samsíða C-ás, 5 x 10-6 /°C hornrétt á C-ás
Rafmagnsstyrkur	4,8 x 105 V/cm
Dielectric stöðug	11,5 (1 MHz) meðfram C-ás, 9,3 (1 MHz) hornrétt á C-ás
Dielectric Loss Tangent (aka dreifingarstuðull)	minna en 1 x 10-4
Varmaleiðni	40 W/(mK) við 20 ℃
Fæging	einhliða fáður (SSP) eða tvíhliða fáður (DSP) Ra < 0,5 nm (eftir AFM). Bakhlið SSP oblátunnar var fínslípuð að Ra = 0,8 - 1,2 um.
Sending	88% +/-1% @460 nm